Elektronenstruktur in magnetischen Schichtsystemen und ihr Einfluß auf den Tunnelmagnetwiderstand

本课题是对铁磁隧道元件中隧道磁宽站的理论和实验研究。TMR用于铁磁电极，通过一个隔离的巴里埃从上到下。因此，铁磁电极和隔离巴里埃的金属化过程以及巴里埃的结构质量对TMR的影响很大。新的隧道施工技术已经取得了很大的进展，这使得韦尔登附近的TMR-Raten成为可能。Infolgedessen sind ferromagnetische Tunnelkontakte für potentielle Anwendungen in der Speichertechnologie von grossen Interesse. Ziel dieses Projektes ist es，den Zusammenhang des TMR mit der Elektronenstruktur des Schichtsystems aufzuklären. Schwerpunktmäßig soll die Wirkung metallischer Grenzschichten auf die Elektronenstruktur und den TMR mit theoretischen und spektroskopischen Methoden untersucht韦尔登.另一项实验是将Augenmerk镀金于巴里埃的结构和形态特征。

Anliegen des Projektes ist die theoretische und experimentelle Untersuchung des Tunnelmagnetwiderstandes in ferromagnetischen Tunnelelementen. Der TMR tritt für ferromagnetische Elektroden, getrennt durch eine isolierende Barriere auf. Es zeigt sich jedoch, dass metallische Grenzschichten zwischen den ferromagnetischen Elektroden und der isolierenden Barriere und auch die strukturelle Qualität der Barriere einen drastischen Einfluss auf den TMR haben. Neue Technologien für die Herstellung der Tunnelkontakte haben dazu geführt, dass hohe TMR-Raten bei geringen Schaltfeldern beobachtet werden. Infolgedessen sind ferromagnetische Tunnelkontakte für potentielle Anwendungen in der Speichertechnologie von großem Interesse. Ziel dieses Projektes ist es, den Zusammenhang des TMR mit der Elektronenstruktur des Schichtsystems aufzuklären. Schwerpunktmäßig soll die Wirkung metallischer Grenzschichten auf die Elektronenstruktur und den TMR mit theoretischen und spektroskopischen Methoden untersucht werden. Ein weiteres experimentelles Augenmerk gilt den strukturellen und morphologischen Eigenschaften der Barriere.