Experimentelle Demonstration eines bipolaren Hochspannungsschalters mit beidseitig gesteuerten Emitterstrukturen

双极整流器组件（晶闸管、GTO、IGBT）在其结构设计中始终具有跨接能力，可在一个Zustand和一个Schaltverlusten和一个Dererseits的环境中运行。考虑到排放物的电气控制和最佳的电池使用方法，我们可以通过数值模拟来确定最佳的电池使用方法。Eine experimentelle Realisierung der vertikal stromfüderen Strukturen scheiterte bisher daran，dastige Herstellungtechnologie extreme aufwendig ist.这两个研究项目都是通过试验验证新部件类型的方法来确定高水平双极激光横向冲击的强度，并通过试验验证其稳定性。这种新的建筑元素结构的概念非常重要，在研究机构和工业IC-Herstellern前处理IC-Herstellungsprozesses realisiert韦尔登可以实现，并且可以在一个垂直的Rahmen bleibt中实现。这是一种集成在智能功率集成电路中的先进的组件结构，它是一种简单而有效的集成电路。

Bipolare Leistungshalbleiterbauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit (Thyristoren, GTOs, IGBTs) stellen in ihrer konstruktiven Auslegung immer ein Kompromiß zwischen niedrigem Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand einerseits und niedrigen Schaltverlusten andererseits dar. Kompromißlos Leistungshalbleiter, bei denen die Emittereigenschaften elektrisch steuerbar und die damit unterschiedlichen Betriebsbedingungen jeweils optimal anpaßbar sind, wurden zwar vorgeschlagen, bisher jedoch nur durch numerische Simulation untersucht. Eine experimentelle Realisierung der vertikal stromführenden Strukturen scheiterte bisher daran, daß die nötige Herstellungstechnologie extrem aufwendig ist. Ziel des vorliegenden Forschungsprojektes ist die Herstellung von lateral stromführenden hochsperrenden bipolaren Leistungshalbleitern mit beidseitig steuerbaren Emitterstrukturen sowohl zur experimentellen Verifikation des vorgeschlagenen neuen Bauelementtyps als auch zur experimentellen Untersuchung seiner Anwendungsmöglichkeiten. Die konkret vorgesehene neuartige Bauelementstruktur ist dabei so gewählt, daß sie unter ausschließlicher Benutzung eines in Forschungsinstituten und bei industriellen IC-Herstellern vorhandenen IC-Herstellungsprozesses realisiert werden kann und somit der Aufwand zur Herstellung in einem vertretbaren Rahmen bleibt. Darüber hinaus ist die von uns vorgeschlagene Bauelementstruktur zur Integration in sogenannte Smart-Power ICs geeignet, die im Bereich kleiner und mittlerer Leistung bevorzugt Einsatz finden.