Silizium-Hochratenätzen zur Herstellung tiefer Trenches für Super-Junction-Strukturen in der Hochvolt-PowerMOS Anwendung

[2] [1] [j] [j] [j] [j] [j] [j] [j] [j] [j] [j] [j]。1 . PowerMOS- prozeß kommt es daraufan, PowerMOS- prozeß kommt es daraufan， PowerMOS晶体管晶体管<s:2> r - höhere sperspspannungen， PowerMOS-晶体管晶体管<s:1> r - höhere sperspunungen， PowerMOS-晶体管晶体管<s:1> widerstandes (RDSon), zuerweteren。技术基础为SJ-Ansatz auder Herstellung von nebeneinder liegender p- and -dotierten Gebieten， die je nach sperspannungsspecizization（约1000 V） des PowerMOS Bauelementes, ine tiefes（约100 μ m） erforderen können。beverwendung n-dotierter Substrate m<s:1> ssen tiefe p-Gebiete durch geeignete borr - dotierung erzeugt werden。关键词：<s:1> die Realisierung der vertikalen "Dotierungssäule" wind eine Ausdiffusion aus bordotiertem Siliziumdioxid entlang der Seitenwände tiefer Trenches angewendet。Zur Erzeugung tifer trench in Bereich 100µm wind as Hochratenätzen eingesetzt, das z.Zt。快ausschließlich fr die Strukturerzeugung in der microsystemtechnik angewendet wind。Der physikalische efft Der "Super Junction" beruder ladungskcompensation (vollständige Verarmung) Der nebeneinanderliegenden p-n-Säulen derart, Der nebeneinanderliegenden derart, dß augrground Der niedrigeren effektiven Dotierung eine höhere Durchbruchsspannung als bei einem planaren pn-Übergang gleicher Substratdotierung erreicht wnd。In dem beantragten project solkt soldie Abhängigkeit der Verarmung der Zellgebiete von Geometrie and Dotierung f<e:1> r unterschiedliche sperspannungsberiche untersucht werden。模具振动补偿（sj - effet）风、二极管和变元结构振动及仿真研究进展。

Ziel des Forschungsvorhabens ist es, ein neues Herstellungsverfahren für die in der Literatur als "Super Junction (SJ)" bekannten p-n-Dotierungsstrukturen für die Hochvolt-PowerMOS-Anwendung zu evaluieren. Bei der Implementierung des SJ-Ansatzes in einen PowerMOS-Prozeß kommt es darauf an, den Einsatzbereich der PowerMOS Transistoren für höhere Sperrspannungen, ohne erheblichen Anstieg des Durchlaßwiderstandes (RDSon), zu erweitern. Technologisch basiert der SJ-Ansatz auf der Herstellung von nebeneinander liegenden p- und n-dotierten Gebieten, die je nach Sperrspannungsspezifikation bis ca. 1000 V des PowerMOS Bauelementes, eine Tiefe bis zu 100µm erfordern können. Bei Verwendung n-dotierter Substrate müssen tiefe p-Gebiete durch geeignete Bor-Dotierung erzeugt werden. Für die Realisierung der vertikalen "Dotierungssäule" wird eine Ausdiffusion aus Bor-dotiertem Siliziumdioxid entlang der Seitenwände tiefer Trenches angewendet. Zur Erzeugung tiefer Trenches im Bereich 100µm wird das Hochratenätzen eingesetzt, das z.Zt. fast ausschließlich für die Strukturerzeugung in der Mikrosystemtechnik angewendet wird. Der physikalische Effekt der "Super Junction" beruht auf der Ladungskompensation (vollständige Verarmung) der nebeneinanderliegenden p-n-Säulen derart, daß aufgrund der niedrigeren effektiven Dotierung eine höhere Durchbruchsspannung als bei einem planaren pn-Übergang gleicher Substratdotierung erreicht wird. In dem beantragten Projekt soll die Abhängigkeit der Verarmung der Zellgebiete von Geometrie und Dotierung für unterschiedliche Sperrspannungsbereiche untersucht werden. Die Ladungskompensation (SJ-Effekt) wird an Dioden- und Varactor-Strukturen untersucht und mit der Simulation verglichen.