Unordnungseffekte in magnetischen Halbleitern und Halbleiternanostrukturen
Unordnungseffekte in magnetischen Halbleitern und Halbleiternanostrukturen
批准号:
5327202
负责人:
Professor Dr. Wolfram Heimbrodt
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2001
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2000-12-31 至 2005-12-31
中文摘要
磁性Halbleiter (MHL)和verddnnntische Halbleiter和materials, die in Bauelementen der Spinelektronik zum insatz kommen werden。本征特性分析与电磁学分析。在项目编号:soljet - soljet - fundamental problem under inhärenten Unordnung under MHL untersuke werden中,die fzj . r . Nutzung和optoelectronics isches bzw。[电子]材料。MHL können auch als modelellsubstanzen dienen, um Unordnungsphänomene in dimensions . reduzierten halbleiterstruckturen zutersuchen。德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国德国beeinflußt了。他的sollen Relaxationsprozesse der Ladungsträger和Exzitonen和irer Spins studiert werden。Neben den bereits in nichtmagnetischen mischchrstallen and heterostructuren auftretenen Streumechanismen der Ladungsträger sollte die Spin-Spin Streuung zwischen freien Spins and lokalisierten magnetischen Momenten and Bedeutung gewinen。Auf der Seite der III-V-MHL werden die system (Ga,Mn)As和GaAs:MnAs。电子与磁光学的基本原理、本征特性和非本征特性。<s:1>混合结晶系统(Ga,Mn)As - stebei die Frage nach dem Einfluß der Kompositionsunordnung sowie each die Frage nach dem Grenzflächeneinfluß in vorderground。fgr as System GaAs:MnAs soll die Wechselwirkung zwischen den MnAs:Ga-Quantenpunkten und dem Wirtsmaterial in Abhängigkeit von der Größe und verilung der ferromagnetischen Quantenpunkte untersucht werden。Die Eignung als spinausrichder Halbleiter in Heterosystemen soll geklärt werden。al II-VI halbleiterheterostruckturen auder Basis verd<e:1> nintermhl stedeuntersuchungen zum Mechanismus der Glättung under unordinungsshbedingen potential fluationen and seine anisotro异性在einem äußeren magnenetfield in Mittelpunkt。《细节力学论》klären。Die Untersuchungen werden auf Schichten mit quantitendimensionseeffet ausgedeent,在Die discussion einzubeziehen ist中见Grenzflächenfluß。
英文摘要
Magnetische Halbleiter (MHL) und verdünnte magnetische Halbleiter sind Materialien, die in Bauelementen der Spinelektronik zum Einsatz kommen werden. Die Eigenschaften dieser Halbleiter werden durch den Einbau magnetischer Ionen bestimmt. Im Projekt sollen die fundamentalen Probleme der inhärenten Unordnung der MHL untersucht werden, die für ihre Nutzung als optoelektronisches bzw. elektronisches Material wichtig sind. MHL können auch als Modellsubstanzen dienen, um Unordnungsphänomene in dimensionsreduzierten Halbleiterstrukturen zu untersuchen. Einen Zugang zu den relevanten Fragestellungen bildet dabei die Abhängigkeit der elektronischen Eigenschaften vom magnetischen Verhalten, welche ihrerseits stark durch die statistische Verteilung der magnetischen Ionen, durch Clusterbildung und Segragationseffekte, durch Oberflächen- und Grenzflächenbeschaffenheit bestimmt bzw. beeinflußt werden. Es sollen Relaxationsprozesse der Ladungsträger und Exzitonen und ihrer Spins studiert werden. Neben den bereits in nichtmagnetischen Mischkristallen und Heterostrukturen auftretenden Streumechanismen der Ladungsträger sollte die Spin-Spin Streuung zwischen freien Spins und lokalisierten magnetischen Momenten an Bedeutung gewinnen. Auf der Seite der III-V-MHL werden die Systeme (Ga,Mn)As und GaAs:MnAs bearbeitet. Es sollen die fundamentalen elektronischen und magnetooptischen Eigenschaften untersucht werden. Für das Mischkristallsystem (Ga,Mn)As steht dabei die Frage nach dem Einfluß der Kompositionsunordnung sowie auch die Frage nach dem Grenzflächeneinfluß im Vordergrund. Für das System GaAs:MnAs soll die Wechselwirkung zwischen den MnAs:Ga-Quantenpunkten und dem Wirtsmaterial in Abhängigkeit von der Größe und Verteilung der ferromagnetischen Quantenpunkte untersucht werden. Die Eignung als spinausrichtender Halbleiter in Heterosystemen soll geklärt werden. Als II-VI Halbleiterheterostrukturen auf der Basis verdünnter MHL stehen die Untersuchungen zum Mechanismus der Glättung der unordnungsbedingten Potentialfluktuationen und seine Anisotropie in einem äußeren Magnetfeld im Mittelpunkt. Der Mechanismus ist im Detail zu klären. Die Untersuchungen werden auf Schichten mit Quantendimensionseffekt ausgedehnt, wobei der Grenzflächenfluß in die Diskussion einzubeziehen ist.
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会议论文
Optical spectroscopy of the band formation and band structure of metastable semiconductor systems
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批准号:5379545
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项目类别:Research Units
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2002
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负责人:Professor Dr. Wolfram Heimbrodt
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依托单位:
Synthese und Charakterisierung geordneter Gitter aus magnetischen und nichtmagnetischen Halbleiternanodrähten in mesoporösen, monolithischen SiO2- Wirtstrukturen
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批准号:5166432
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项目类别:Priority Programmes
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1999
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负责人:Professor Dr. Wolfram Heimbrodt
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依托单位:
海外基金