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Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors

Study on spin dependent ballistic electron mapping and spin injectioninto semiconductors
自旋相关弹道电子映射和自旋注入半导体的研究
批准号：
21360023
负责人：
HASEGAWA Shigehiko
金额：
$11.56万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2012
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21360023/
关键词：
走査型トンネル顕微鏡スピンエレクトロニクス分子線エピタキシー希薄磁性半導体トンネル現象スピン依存状態密度ショットキー接合界面・表面物性スピン偏極走査型プローブ顕微鏡表面・界面物性MBE(分子線エピタキシー)

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
我们已经研究了结构，电气和磁性的铁磁电极GaN自旋注入器和III族氮化物为基础的稀半导体自旋探测器对弹道电子发射映射测量的发展。
英文摘要
We have investigated structural, electrical, and magnetic properties both of ferromagnetic electrodes on GaN as spin injectors and of III-nitride based dilute semiconductors as spin detectors toward development of ballistic electron emission mapping measurement.
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会议论文
Strong atomic ordering in Gd-doped GaN
Gd 掺杂 GaN 中的强原子有序性
DOI： --
发表时间： 2012
期刊： Appl. Phys. Lett
影响因子： --
作者： [M. Ishimaru, K. Higashi, S. Hasegawa, H. Asahi, K. Sato, and T. J. Konno]
通讯作者： and T. J. Konno
GaN(0001)表面上の窒化鉄薄膜の形成と評価
GaN(0001)表面氮化铁薄膜的形成与评价
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [米岡賢,古屋貴明,市原寛也,別府亜由美,長谷川繁彦, 朝日一]
通讯作者： 朝日一
Feナノドットの磁気抵抗効果
Fe纳米点的磁阻效应
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [市原寛, 長谷川繁彦]
通讯作者： 長谷川繁彦
Growth of Co thin films on GaN(0001) and their magnetic properties
GaN(0001)上Co薄膜的生长及其磁性能
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Sato. N. Watanabe, R. Ananda, Y. Okada-Shudo, M. Watanabe, M. Hyodo, X. Wang, C. Chen, T. Kanai, and S. Watanabe, A.Beppu]
通讯作者： A.Beppu
共 70 条
    Nano-characterization of diluted magnetic semiconductors by scanning probe microscopy and spin polarized scanning tunneling microscopy
    • 批准号：
      15360021
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $8.45万
    • 财政年份：
      2003
    • 负责人：
      HASEGAWA Shigehiko
    • 依托单位：
      Osaka University
    Study of semiconductor heterointerface using low-energy electron transmission spectroscopy
    • 批准号：
      03452081
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      1991
    • 负责人：
      HASEGAWA Shigehiko
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金