Direkte Messung und Manipulation der Spinkorrelation von Ladungsträgern in organischen Halbleitern

这是一件非常重要的事情，因为这是一件非常重要的事情。Ziel des Vorhabens ist es，MIT Hilfe eines kürzlich von s entwickelten Verfahrens zur Aktivierung des Phosphopreszenzkanals in halbletern den Grad der Spinkorrelationzwitchen Ladungsträgern und Somit der Austauschwechselwirkungüber das direkte vas direkte verhältvon florezenz zu Phosopreszenz zMessen.在中国，这是一种特殊的技术，它是一种特殊的技术，是一种特殊的技术。这是一种新的技术和技术，是一种新的技术和技术。麻省理工学院的外部刺激，Wie Starken磁学和Elektrischen Feldern，热米歇尔能量，Sowie磁学Verunreigungen，唯一的是相关的Spinkor关系处理。在哈布利特的组织中，所有的人都是这样的人，他们的生活方式也是如此。在WirkungSweise的组织者Halbleiter将会有Entwickung neuartiger Bauelemente angestret，Dich Sich den Spin der Ladungsträger explizit it zu Nutze Machen。

Austauschwechselwirkungen spielen in organischen Halbleitern im Gegensatz zu herkömmlichen anorganischen Materialien eine wesentliche Rolle. Ziel des Vorhabens ist es, mit Hilfe eines kürzlich von uns entwickelten Verfahrens zur Aktivierung des Phosphoreszenzkanals in organischen Halbleitern den Grad der Spinkorrelation zwischen Ladungsträgern und somit der Austauschwechselwirkung über das direkte Verhältnis von Fluoreszenz zu Phosphoreszenz zu messen. Dabei wird spektroskopisch zwischen Triplett- und Singulettzuständen unterschieden, was wiederum Einblick in die relative Spinorientierung elektrostatisch gebundener Elektronen und Löcher ermöglicht. Ladungsträgerpaare können sowohl durch direkte elektrische Injektion wie durch elektrische Dissoziation optisch generierter Anregungen erzeugt werden. Mit Hilfe externer Stimuli, wie starken magnetischen und elektrischen Feldern, thermischer Energie, sowie magnetischen Verunreinigungen, soll die relative Spinkorrelation manipuliert werden. Die grundlegende Fragestellung dabei ist, ob sich Ladungsträger in organischen Halbleitern wirklich wie freie Teilchen verhalten, oder ob Vielteilcheneffekte zu einer physikalisch interessanten spinabhängigen Rekombination führen. Neben einem allgemeinen Verständnis der Wirkungsweise organischer Halbleiter wird auch die Entwicklung neuartiger Bauelemente angestrebt, die sich den Spin der Ladungsträger explizit zu Nutze machen.