Materials for high brilliance green laser diodes (A 01)
Materials for high brilliance green laser diodes (A 01)
高亮度绿色激光二极管材料 (A 01)
批准号：
62625132
负责人：
金额：
$0.0万
依托单位国家：
德国
项目类别：
Collaborative Research Centres
财政年份：
2008
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2007-12-31 至 2010-12-31
中文摘要
翻译
这两个项目是在蓝绿光谱技术的高布里渊GaN基激光二极管演示的基础上实现的高效率和均质的InGaN纳米材料。该项目在三个方面都很突出：1. InGaN-Schichten材料的热处理基础研究 mit hohem Indium-Gehalt，2. epitaktisches Wachstum von InGaN-Quantenpunktstrukturen3. Untersuchung des Wachstums auf nichtpolaren GaN-Oberflächen.
英文摘要
Das Ziel dieses Projektes ist die Realisierung hocheffizienter und homogener InGaNNanomaterialienund darauf basierend die Demonstration GaN-basierter Laserdioden hoherBrillanz im blau-grünen Spektralbereich. Das Projekt gliedert sich im Wesentlichen in dreiBereiche: 1. Grundlegende Untersuchungen zu Wachstumsprozessen von InGaN-Schichten mit hohem Indium-Gehalt, 2. epitaktisches Wachstum von InGaN-Quantenpunktstrukturen3. Untersuchung des Wachstums auf nichtpolaren GaN-Oberflächen.
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