Accumulation of hydrogen near the interface between ultrathin SiO_2 and Si(001)under ion irradiation in high-resolution elastic recoil detection
Accumulation of hydrogen near the interface between ultrathin SiO_2 and Si(001)under ion irradiation in high-resolution elastic recoil detection
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高分辨率弹性反冲探测中离子辐照下超薄SiO_2与Si(001)界面附近氢的积累
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Kimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Nakajima;R.Imaizumi;M.Suzuki;K.Kimura
高分辨率 ERD 中亚纳米分辨率的氢深度分析
DOI：
10.1016/s0168-583x(98)00105-0
发表时间：
1998
影响因子：
1.3
作者：
K. Kimura;K. Nakajima;H. Imura
通讯作者：
H. Imura
薄 SiO2 的可靠性
影响因子：
1.9
作者：
K. Schuegraf;C. Hu
通讯作者：
C. Hu
原子氢诱导的 Si/SiO 2 结构降解
影响因子：
2.3
作者：
E. Cartier;J. Stathis
通讯作者：
J. Stathis