Multinomial based memristor modelling methodology for simulations and analysis
Multinomial based memristor modelling methodology for simulations and analysis
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用于仿真和分析的基于多项式的忆阻器建模方法
DOI：
10.1080/21681724.2014.901421
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发表时间：
2014
影响因子：
--
通讯作者：
Li G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li G
在本文中，我们提出了一种新的记忆阻器建模方法，该方法通过对实际记忆阻器装置的测量数据进行广泛的统计拟合得到多项式窗函数。由于这样的建模，精确地描述了制造的忆阻器装置通常表现出的所需的电特性。此外，该模型还具有非线性的状态转变行为。为了验证所提出的建模方法的有效性，实现了基于Verilog-A的忆阻器模型，从而进一步发展了基于忆阻器的互补电阻开关(CRS)。结果表明，所提出的忆阻器建模方法有助于准确的器件级特性，并提高了使用忆阻器进行有效的电路和系统仿真的效率。
In this article, we propose a novel memristor modelling methodology with multinomial window function obtained by extensive statistical fitting of the measured data of a practical memristor device. Due to such modelling, the desired electrical characteristics that a fabricated memristor device typically exhibits is accurately described. Moreover, the model features the non-linear state transition behaviour. To demonstrate the effectiveness of the proposed modelling methodology, a Verilog-A-based memristor model has been implemented, leading to further development of a memristor-based complementary resistive switch (CRS). We show that the proposed memristor modelling methodology facilitates accurate device-level characteristics and also advances effective circuits and system simulations using memristors.
基于固体电解质的非易失性存储器
DOI：
10.1109/nvmt.2004.1380792
发表时间：
2004
期刊：
Proceedings. 2004 IEEE Computational Systems Bioinformatics Conference
影响因子：
--
作者：
M. Kozicki;C. Gopalan;Muralikrishnan Balakrishnan;Mira Park;M. Mitkova
通讯作者：
M. Mitkova
用于仿真和分析的多项忆阻器模型
DOI：
10.1109/ised.2013.18
发表时间：
2013
期刊：
2013 International Symposium on Electronic System Design
影响因子：
--
作者：
Liu Gang;J. Mathew;D. Pradhan
通讯作者：
D. Pradhan