Bias-voltage photoconductance and photoluminescence for the determination of silicon-dielectric interface properties in SiO2/Al2O3 stacks
Bias-voltage photoconductance and photoluminescence for the determination of silicon-dielectric interface properties in SiO2/Al2O3 stacks
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偏压光电导和光致发光用于测定 SiO2/Al2O3 叠层中的硅电介质界面特性
DOI：
10.1063/5.0153204
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发表时间：
2023
影响因子：
3.2
通讯作者：
Masuch P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Masuch P
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施加偏压下的光致发光成像用于表征硅表面钝化层
影响因子：
6.9
作者：
H. Haug;Ørnulf Nordseth;E. Monakhov;E. Marstein
通讯作者：
E. Marstein
影响因子：
3.2
作者：
H. Haug;S. Olibet;Ørnulf Nordseth;E. Marstein
通讯作者：
H. Haug;S. Olibet;Ørnulf Nordseth;E. Marstein
生长缺陷的热激活和失活限制了区熔硅的寿命
DOI：
10.1002/pssr.201600080
发表时间：
2016
期刊：
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters
影响因子：
--
作者：
N. Grant;V. Markevich;J. Mullins;A. Peaker;F. Rougieux;D. Macdonald
通讯作者：
D. Macdonald
层厚度对 SiOx/Al2O3 叠层钝化性能的影响
影响因子：
3.2
作者：
A. ek;C. Reichel;A. Richter;J. Benick
通讯作者：
J. Benick
影响因子：
2.2
作者：
Dobbelaere, Thomas;Vereecken, Philippe M.;Detavernier, Christophe
通讯作者：
Detavernier, Christophe