TiN/HfxZr1-xO2/Si-MFS作製におけるSiO2界面層成長の抑制
TiN/HfxZr1-xO2/Si-MFS作製におけるSiO2界面層成長の抑制
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TiN/HfxZr1-xO2/Si-MFS 制造中 SiO2 界面层生长的抑制
DOI:
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发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
森田 行則
中科院分区:
文献类型:
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作者:
女屋 崇;生田目 俊秀;井上 万里;澤田 朋実;太田 裕之;森田 行則
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DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
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作者:
Xuefeng Zheng;C. Robinson;W. Zhang;J. Zhang;B. Govoreanu;J. V. Houdt
通讯作者:
J. V. Houdt
DOI:
10.2172/1433468
发表时间:
2018
期刊:
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影响因子:
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作者:
S. Agarwal;G. Burr;An Chen;Shamik Das;E. Debenedictis;M. Frank;P. Franzon;Scott Holmes;M. Marinella;Titash Rakshit
通讯作者:
Titash Rakshit
影响因子:
4.9
作者:
P. Lomenzo;Q. Takmeel;C. Fancher;Chuanzhen Zhou;N. Rudawski;S. Moghaddam;Jacob L. Jones;T. Nishida
通讯作者:
T. Nishida
影响因子:
4.9
作者:
Kitae Lee;J. Bae;Sihyun Kim;Jong;Byung;D. Kwon
通讯作者:
D. Kwon
DOI:
10.1109/iirw49815.2020.9312866
发表时间:
2020
期刊:
2020 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW)
影响因子:
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作者:
T. Jung;B. O’Sullivan;N. Ronchi;D. Linten;C. Shin;J. V. Houdt
通讯作者:
J. V. Houdt