Topographically-selective atomic layer etching of SiO2 using fluorine-containing plasma
Topographically-selective atomic layer etching of SiO2 using fluorine-containing plasma
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使用含氟等离子体对 SiO2 进行形貌选择性原子层蚀刻
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masaru Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Airah Osonio;Takayoshi Tsutsumi;Bablu Mukherjee;Ranjit Borude;Nobuyoshi Kobayashi;and Masaru Hori
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影响因子：
3.9
作者：
Satoru Yamashita;K. Watanuki;H. Ishii;Yoshinobu Shiba;Masafumi Kitano;Y. Shirai;S. Sugawa;T. Ohmi
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T. Ohmi
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2.9
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Li, Chen;Metzler, Dominik;Oehrlein, Gottlieb S.
通讯作者：
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循环蚀刻/钝化沉积作为高速室温原子层蚀刻的全空间概念
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Kessels
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作者：
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Parsons, Gregory N.