Light-Induced-Magnetoresistance in p-n Junction Device
Light-Induced-Magnetoresistance in p-n Junction Device
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p-n 结器件中的光感磁阻
DOI：
10.1109/led.2020.2969998
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发表时间：
2020-03
影响因子：
4.9
通讯作者：
Desheng Xue
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yang Cao;Wenbo Sui;Tao Wang;Mingsu Si;Huigang Shi;Dezheng Yang;Desheng Xue
非常希望为p-n结提供额外的功能以绕过对摩尔定律的限制。通过结合p-n结的磁电效应和光伏效应，我们证明了一种新的光致磁电阻效应，
It is highly desirable to provide extra functionality for p-n junction to bypass the limits to Moore’s law. By combining magnetoelectric and photovoltaic effects of p-n junctions, we demonstrate a novel light-induced magnetoresistance (MR) effect, that th
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DOI：
10.1039/c9cp00033j
发表时间：
2019-04
期刊：
Physical chemistry chemical physics : PCCP
影响因子：
--
作者：
Xiang Liu;W. Mi
通讯作者：
Xiang Liu;W. Mi
影响因子：
8.6
作者：
Schoonus, J. J. H. M.;Bloom, F. L.;Koopmans, B.
通讯作者：
Koopmans, B.
二极管和不均匀性有助于硅中产生极大的磁阻
影响因子：
4
作者：
Rajan Singh;Zhaochu Luo;Ziyao Lu;Awais Siddique Saleemi;Chengyue Xiong;Xiaozhong Zhang
通讯作者：
Xiaozhong Zhang
影响因子：
4
作者：
Xiang Liu;W. Mi;Qiang Zhang;Xi-xiang Zhang
通讯作者：
Xiang Liu;W. Mi;Qiang Zhang;Xi-xiang Zhang
影响因子：
13.3
作者：
Tzu-Yao Lin;Keng-Te Lin;Ching-Che Lin;Yu-Wei Lee;Lung-Tai Shiu;Wei-You Chen;Hsuen‐Li Chen
通讯作者：
Tzu-Yao Lin;Keng-Te Lin;Ching-Che Lin;Yu-Wei Lee;Lung-Tai Shiu;Wei-You Chen;Hsuen‐Li Chen