Polytypism of SiC and interfacial structure in SiCp/Al composites
Polytypism of SiC and interfacial structure in SiCp/Al composites
复制标题
SiCp/Al复合材料中SiC的多型性和界面结构
DOI：
10.1023/a:1021027731189
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发表时间：
2002-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Renjie Wu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tongxiang Fan;Di Zhang;Renjie Wu
利用x射线衍射仪（XRD）和高分辨透射电镜（HREM）研究了SiC的多型性和SiC与Al的界面结构。结果表明，在同一SiC增强层中，15R可以与6H叠加序列并置，并观察到结构转变区。Al4C3化合物可在SiC/Al界面上成核，生长方向平行于SiC的C轴。并对观测到的现象的机理进行了详细的讨论。
In the present work, the polytypism of SiC and the interfacial structure between SiC and Al were investigated using X-ray diffraction (XRD) and high resolution transmission electron microscopy (HREM). It was approved that 15R could be juxtaposed with 6H stacking sequences in the same SiC reinforcement and a structural transformation zone was also observed. The Al4C3 compound can nucleate on SiC at the SiC/Al interface with the growth orientation parallel to the C axis of SiC. Mechanisms for the observed phenomena were also discussed in detail.
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