A magnetically-induced Coulomb gap in graphene due to electron-electron interactions
A magnetically-induced Coulomb gap in graphene due to electron-electron interactions
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由于电子-电子相互作用而在石墨烯中产生磁感应库仑间隙
DOI：
10.1038/s42005-023-01277-y
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发表时间：
2023
影响因子：
5.5
通讯作者：
Vdovin E
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Vdovin E
对石墨烯的Dirac-Weyl费米子的基本性质的见解已经从电子隧道晶体管的研究中出现，其中原子薄层的六方氮化硼（hBN）被夹在两层高纯度石墨烯之间。在这里，我们表明，当hBN隧道势垒内存在单个缺陷时，它可以将电子注入到石墨烯层中，并且其明确定义的能级作为石墨烯中电子-电子相互作用的高分辨率光谱探针。我们报告了一个依赖于磁场的抑制隧道电流流过一个单一的缺陷温度低于2 K。这归因于由于电子-电子相互作用而在隧穿到石墨烯中的电子的谱密度中形成磁致库仑隙。
Insights into the fundamental properties of graphene’s Dirac-Weyl fermions have emerged from studies of electron tunnelling transistors in which an atomically thin layer of hexagonal boron nitride (hBN) is sandwiched between two layers of high purity graphene. Here, we show that when a single defect is present within the hBN tunnel barrier, it can inject electrons into the graphene layers and its sharply defined energy level acts as a high resolution spectroscopic probe of electron-electron interactions in graphene. We report a magnetic field dependent suppression of the tunnel current flowing through a single defect below temperatures of ~2 K. This is attributed to the formation of a magnetically-induced Coulomb gap in the spectral density of electrons tunnelling into graphene due to electron-electron interactions.
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影响因子：
19.6
作者：
Liu, Xiaomeng;Watanabe, Kenji;Kim, Philip
通讯作者：
Kim, Philip
高磁场中二维电子气中的电子关联和库仑间隙。
DOI：
--
发表时间：
1995
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
Dolgopolov;Drexler;Hansen;Kotthaus;Holland
通讯作者：
Holland
磁场诱导的二维电子系统隧道效应抑制
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Reker;Y. Chung;H. Im;P. Klipstein;R. Nicholas;H. Shtrikman
通讯作者：
H. Shtrikman
维格纳晶体中的磁声子震动：在量子霍尔体系中隧道光谱的应用。
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
Kinaret
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
JETP Letters : Journal of Experimental And Theoretical Physics Letters
影响因子：
--
作者：
Y. Khanin;E. Vdovin;M. V. Grigor’ev;O. Makarovsky;M. Alhazmi;S. Morozov;S. Morozov;Artem Mishchenko;K. Novoselov
通讯作者：
K. Novoselov