Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure
复制标题
AlInGaN/AlN/GaN 异质结构的标称 AlN 间隔物中无意掺入了 Ga
DOI：
10.1088/1361-6463/aa9fa9
复制
发表时间：
2018-01
影响因子：
3.4
通讯作者：
Yang Hui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dai Shujun;Gao Hongwei;Zhou Yu;Zhong Yaozong;Wang Jin;He Junlei;Zhou Rui;Feng Meixin;Sun Qian;Yang Hui
在Al（In）GaN/AlN/GaN异质结构中，薄AlN间隔层被广泛采用，以通过增加二维电子气（2DEG）的限制和减少远程合金散射来提高2DEG的迁移率。然而，发现标称AlN间隔物是AlGaN间隔物，这主要是由于在AlN间隔物的生长期间从下面的GaN沟道的分解以及从GaN沟道到Al（In）GaN势垒的温度斜坡过程中无意地并入Ga。系统地研究了AlN间隔层生长条件对AlInGaN/AlN/GaN异质结构中Ga非故意掺入和2DEG迁移率的影响。有趣的是，标称AlN间隔物（或实际上AlGaN间隔物）仍然可以有效地减少远程合金散射，并且提供比没有间隔物的AlInGaN/GaN异质结构或均匀地包含类似于标称AlN间隔物的平均Ga成分的Ga含量的AlGaN间隔物的2DEG迁移率高得多的2DEG迁移率。提出了一种简化的具有不均匀Ga掺入的标称AlN间隔层的微结构，以讨论间隔层对2DEG迁移率的影响。
Thin AlN spacer layer is widely adopted in Al(In) GaN/AlN/GaN heterostructures to improve the mobility of two- dimensional electron gas (2DEG) by increasing the 2DEG confinement and reducing the remote alloy scattering. However, the nominal AlN spacer is found to be an AlGaN spacer mainly due to the unintentional incorporation of Ga from the decomposition of the underlying GaN channel during the growth of AlN spacer and the temperature ramping process from the GaN channel to the Al(In) GaN barrier. The growth conditions of AlN spacer layer were varied systematically to study their influences on the unintentional Ga incorporation and the 2DEG mobility of AlInGaN/AlN/GaN heterostructures. Interestingly, the nominal AlN spacer (or AlGaN spacer in fact) can still effectively reduce the remote alloy scattering and deliver a 2DEG mobility substantially higher than that of AlInGaN/GaN heterostructures with no spacer or an AlGaN spacer uniformly containing a Ga content similar to the average Ga composition of the nominal AlN spacer. A simplified microstructure of the nominal AlN spacer with an inhomogeneous Ga incorporation was proposed to discuss about the influence of the spacer on the 2DEG mobility.
登录
查看更多内容
Si(111) 上生长的 AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT 异质结构的断态电击穿
影响因子：
1.6
作者：
Shuiming Li;Yu Zhou;Hongwei Gao;Shujun Dai;Guohao Yu;Qian Sun;Yong Cai;Baoshun Zhang;Sheng Liu;Hui Yang
通讯作者：
Hui Yang
通过脉冲金属有机化学气相沉积在 SiC 衬底上生长几乎晶格匹配的 InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管
影响因子：
4
作者：
Hao, Yue;Liu, Ziyang;Xue, Junshuai;Zhou, Xiaowei;Lin, Zhiyu;Ma, Juncai;Zhang, Jincheng
通讯作者：
Zhang, Jincheng
影响因子：
1.9
作者：
Haoran Li;S. Keller;Silvia H. Chan;Jing Lu;S. Denbaars;U. Mishra
通讯作者：
Haoran Li;S. Keller;Silvia H. Chan;Jing Lu;S. Denbaars;U. Mishra
影响因子：
3.3
作者：
A. Teke;S. Gökden;R. Tülek;Jacob H. Leach;Q. Fan;Jinqiao Xie;Ü. Özgür;Hadis Morkoç;S. B. Lişesi
通讯作者：
A. Teke;S. Gökden;R. Tülek;Jacob H. Leach;Q. Fan;Jinqiao Xie;Ü. Özgür;Hadis Morkoç;S. B. Lişesi
影响因子：
1.8
作者：
T. C. Sadler;M. Kappers;R. Oliver
通讯作者：
T. C. Sadler;M. Kappers;R. Oliver