Nearly lattice-matched InAlN/GaN high electron mobility transistors grown on SiC substrate by pulsed metal organic chemical vapor deposition
Nearly lattice-matched InAlN/GaN high electron mobility transistors grown on SiC substrate by pulsed metal organic chemical vapor deposition
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通过脉冲金属有机化学气相沉积在 SiC 衬底上生长几乎晶格匹配的 InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管
DOI：
10.1063/1.3567529
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发表时间：
2011-03
影响因子：
4
通讯作者：
Zhang, Jincheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hao, Yue;Liu, Ziyang;Xue, Junshuai;Zhou, Xiaowei;Lin, Zhiyu;Ma, Juncai;Zhang, Jincheng
我们报道了用脉冲金属有机化学气相沉积在4H-SiC衬底上生长近晶格匹配的InAlN/GaN异质结构，以及在这些InA上制备的高电子迁移率晶体管（hemt）的优异器件特性
We report on a growth of nearly lattice-matched InAlN/GaN heterostructures on 4H–SiC substrates by pulsed metal organic chemical vapor deposition, and an excellent device characteristic of high electron mobility transistors (HEMTs) fabricated on these InA
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H. Schenk;M. Nemoz;M. Korytov;P. Vennégués;A. D. Dräger;A. Hangleiter
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H. Schenk;M. Nemoz;M. Korytov;P. Vennégués;A. D. Dräger;A. Hangleiter
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Haifeng Sun;A. Alt;H. Benedickter;E. Feltin;J. Carlin;M. Gonschorek;N. Grandjean;C. Bolognesi
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Kuzmík, J