Design of a new two-dimensional diluted magnetic semiconductor: Mn-doped GaN monolayer
Design of a new two-dimensional diluted magnetic semiconductor: Mn-doped GaN monolayer
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新型二维稀磁半导体的设计：Mn掺杂GaN单层
DOI：
10.1016/j.apsusc.2016.10.179
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发表时间：
2017-02
影响因子：
6.7
通讯作者：
Wu Ning
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhao Qian;Xiong Zhihua;Luo Lan;Sun Zhenhui;Qin Zhenzhen;Chen Lanli;Wu Ning
为了满足低维自旋电子器件的需要，我们采用第一性原理方法研究了Mn掺杂GaN单层膜的电子结构和磁性。我们发现，由于双交换机制，Mn掺杂的GaN单层呈现半金属铁磁性。有趣的是，Mn掺杂GaN单层中的铁磁耦合随着拉伸应变而增强，随着压缩应变而减弱。此外，铁磁-反铁磁转变发生在-9.5%的压缩应变下。这些结果为制备新型GaN单层基稀磁半导体提供了一条可行的途径。
To meet the need of low-dimensional spintronic devices, we investigate the electronic structure and magnetic properties of Mn-doped GaN monolayer using first-principles method. We find the nonmagnetic GaN monolayer exhibits half-metallic ferromagnetism by Mn doping due to double-exchange mechanism. Interestingly, the ferromagnetic coupling in Mn-doped GaN monolayer is enhanced with tensile strain and weakened with compressive strain. What is more, the ferromagnetic–antiferromagnetic transformation occurs under compressive strain of −9.5%. These results provide a feasible approach for fabrication of a new GaN monolayer based diluted magnetic semiconductor.
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DOI：
10.1007/978-3-662-05003-3
发表时间：
2002
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
通讯作者：
D. Awschalom;D. Loss;N. Samarth
影响因子：
3.7
作者：
Xuelei Sui;Chen Si;B. Shao;Xiaolong Zou;Jian Wu;B. Gu;W. Duan
通讯作者：
Xuelei Sui;Chen Si;B. Shao;Xiaolong Zou;Jian Wu;B. Gu;W. Duan
影响因子：
4
作者：
M. Zając;R. Doradziński;J. Gosk;J. Szczytko;M. Lefeld-sosnowska;M. Kamińska;A. Twardowski;M. Palczewska;E. Grzanka;W. Gȩbicki
通讯作者：
M. Zając;R. Doradziński;J. Gosk;J. Szczytko;M. Lefeld-sosnowska;M. Kamińska;A. Twardowski;M. Palczewska;E. Grzanka;W. Gȩbicki
影响因子：
8.6
作者：
Krasheninnikov, A. V.;Lehtinen, P. O.;Nieminen, R. M.
通讯作者：
Nieminen, R. M.
应变对过渡金属原子掺杂单层WS2磁态的影响
影响因子：
3.3
作者：
Yang Yi;Fan Xiao-Li;Zhang Han
通讯作者：
Zhang Han