Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
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金属电极对GaAs/AlGaAs湿法选择性刻蚀的影响
DOI：
10.1116/1.3610969
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发表时间：
2011-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
韩勤
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
韩勤
研究发现，在柠檬酸/过氧化氢溶液中，金属电极对GaAs的湿法选择刻蚀有影响。作者发现，在半导体表面沉积铬/金或钛/金合金等金属薄膜，可以最大限度地防止砷化镓的腐蚀。暴露在金属电极附近的选择性腐蚀剂中的GaAs牺牲材料根本没有被去除。对比实验表明，如果表面不存在金属或如果砷化镓离金属足够远，则可以选择性地去除它。通过电化学分析确定了钝化机理。
Metal electrodes were found to influence the wet selective etching of GaAs in a citric acid/hydrogen peroxide solution. The authors found that metal films such as a Cr/Au or Ti/Au alloy deposited on a semiconductor surface can mostly prevent the etching of GaAs. The GaAs sacrificial material that was exposed to the selective etchant near the metal electrode was not removed at all. Contrast experiments show that it can be removed selectively if no metal is present on the surface or if the GaAs is located far enough from the metal. Electrochemical analyses were undertaken to determine the passivation mechanism.
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影响因子：
6.6
作者：
H. Goossens;W. Gomes
通讯作者：
H. Goossens;W. Gomes
DOI：
10.1016/0921-5107(95)01414-4
发表时间：
1995-12-01
期刊：
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
影响因子：
--
作者：
Lee, HJ;Tse, MS;Leong, YC
通讯作者：
Leong, YC
影响因子：
3
作者：
J. Jewell;H. Gibbs;A. Gossard;A. Passner;W. Wiegmann
通讯作者：
J. Jewell;H. Gibbs;A. Gossard;A. Passner;W. Wiegmann
影响因子：
2.1
作者：
M. Tong;D. Ballegeer;A. Ketterson;E. Roan;K. Cheng;I. Adesida
通讯作者：
M. Tong;D. Ballegeer;A. Ketterson;E. Roan;K. Cheng;I. Adesida
影响因子：
3.9
作者：
B. Mao;J. Nielsen;R. Friedman;G. Y. Lee
通讯作者：
B. Mao;J. Nielsen;R. Friedman;G. Y. Lee