Spectroscopic investigation of the electronic structure of thin atomic layer deposition HfO2 films
Spectroscopic investigation of the electronic structure of thin atomic layer deposition HfO2 films
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原子层沉积 HfO2 薄膜电子结构的光谱研究
DOI：
10.1116/1.4935338
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Schmeisser
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Alberton Corrêa;S. Brizzi;D. Schmeisser
用共振光电子能谱（resPES）研究了HfO{sub 2}薄膜的电子结构.的O 1 s共振曲线的详细分析，使部分的状态密度的价带和导带以及电子带隙的测定为6.2 eV。评估电荷中性水平的位置。因此，它表明，resPES数据是能够联合收割机的信息都为价，以及为导带状态。此外，给出了极化子态和电荷转移态的本征能隙态的证据。原子层沉积HfO {sub 2}膜内的电子电荷被识别，指出电荷的量是必不可少的，以确定表面电位的准确位置。
The electronic structure of HfO{sub 2} thin films is investigated employing resonant photoelectron spectroscopy (resPES). The detailed analysis of the O1s resonance profile enables the determination of the partial density of states for the valence and the conduction bands as well as the electronic band gap to be 6.2 eV. The position of the charge neutrality level is evaluated. Thereby, it is demonstrated that the resPES data are able to combine information both for the valence as well as for the conduction band states. In addition, evidences for intrinsic in-gap states attributed to polaronic and charge transfer states are given. Electronic charges within the atomic layer deposition-HfO{sub 2} films are identified, pointing out that the amount of charges is essential to determine the accurate position of the surface potentials.
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