Growth of semi-polar(11-22)GaN on a(113)Si substrate by selective MOVPE
Growth of semi-polar(11-22)GaN on a(113)Si substrate by selective MOVPE
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选择性MOVPE在(113)Si衬底上生长半极性(11-22)GaN
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Hikosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Tanikawa;T. Hikosaka
通过选择性 MOVPE 在 7 度偏向 (0 0 1)Si 衬底上生长 ( 1 1 0 1 ) GaN
影响因子：
8.8
作者：
Y. Honda;N. Kameshiro;M. Yamaguchi;N. Sawaki
通讯作者：
N. Sawaki
DOI：
10.1143/jjap.45.l659
发表时间：
2006-07-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
影响因子：
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作者：
Funato, Mitsuru;Ueda, Masaya;Mukai, Takashi
通讯作者：
Mukai, Takashi