University of California Merced(米国)
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加州大学默塞德分校（美国）
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GaAs 基质中 In0.1Ga0.9As 层过度生长的 In0.8Ga0.2As 量子点的反转截锥成分分布
影响因子：
4
作者：
A. Lenz;R. Timm;H. Eisele;C. Hennig;S. K. Becker;R. Sellin;U. W. Pohl;D. Bimberg;M. Dähne
通讯作者：
M. Dähne
直接观察单个量子点分子中耦合激子态之间声声子介导的弛豫
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Phys.Rev.B 74
影响因子：
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作者：
内海 秀樹;寺田 悟;松井 三郎;保倉 修一;T.Nakaoka et al.
通讯作者：
T.Nakaoka et al.
垂直耦合半导体 InAs 量子点中的可调谐激子弛豫
影响因子：
3.7
作者：
K. Wijesundara;J. E. Rolon;S. Ulloa;A. Bracker;D. Gammon;E. Stinaff
通讯作者：
E. Stinaff
影响因子：
3.7
作者：
Doty, M. F.;Climente, J. I.;Gammon, D.
通讯作者：
Gammon, D.
影响因子：
2.7
作者：
Michalski D;Liebig S;Thomae E;Hinz A;Bergh FT
通讯作者：
Bergh FT