Suppressing the Fluorescence Blinking of Single Quantum Dots Encased in N-type Semiconductor Nanoparticles.
Suppressing the Fluorescence Blinking of Single Quantum Dots Encased in N-type Semiconductor Nanoparticles.
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抑制 N 型半导体纳米粒子包裹的单量子点的荧光闪烁
DOI：
10.1038/srep32662
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发表时间：
2016-09-08
影响因子：
4.6
通讯作者：
Jia S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li B;Zhang G;Wang Z;Li Z;Chen R;Qin C;Gao Y;Xiao L;Jia S
采用N型半导体氧化铟锡（ITO）纳米粒子有效抑制了单个近红外发射CdSeTe/ZnS核/壳量子点（QDs）的荧光闪烁，其中ITO可以阻止量子点从激发态到陷阱态的电子转移，并通过反向电子转移促进中性量子点的快速再生。量子点的平均闪烁率显著降低了一个数量级以上，最大的开态比例为98%，而寿命并没有显著降低。此外，提出了一个外部电子转移模型来分析辐射，非辐射和电子转移途径对荧光闪烁的可能影响。基于该模型的理论分析结合测量结果给出了一个定量的闪烁机制的洞察。
N-type semiconductor indium tin oxide (ITO) nanoparticles are used to effectively suppress the fluorescence blinking of single near-infrared-emitting CdSeTe/ZnS core/shell quantum dots (QDs), where the ITO could block the electron transfer from excited QDs to trap states and facilitate more rapid regeneration of neutral QDs by back electron transfer. The average blinking rate of QDs is significantly reduced by more than an order of magnitude and the largest proportion of on-state is 98%, while the lifetime is not considerably reduced. Furthermore, an external electron transfer model is proposed to analyze the possible effect of radiative, nonradiative, and electron transfer pathways on fluorescence blinking. Theoretical analysis based on the model combined with measured results gives a quantitative insight into the blinking mechanism.
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