Retarded boron and phosphorus diffusion in silicon nanopillars due to stress induced vacancy injection
Retarded boron and phosphorus diffusion in silicon nanopillars due to stress induced vacancy injection
复制标题
由于应力诱导空位注入，硅纳米柱中硼和磷扩散延迟
DOI：
10.1063/5.0078006
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
H. Bracht
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. K. Prüßing;T. Böckendorf;F. Kipke;P. Puranto;J. L. Hansen;D. Bougeard;E. Peiner;H. Bracht
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