Quantum oscillation and nontrivial transport in the Dirac semimetal Cd3As2 nanodevice
Quantum oscillation and nontrivial transport in the Dirac semimetal Cd3As2 nanodevice
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狄拉克半金属 Cd3As2 纳米器件中的量子振荡和非平凡输运
DOI：
10.1063/1.4948654
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发表时间：
2016-02
影响因子：
4
通讯作者：
Zhang, Rong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Song, Fengqi;Wang, Xuefeng;Wang, Baigeng;Zhang, Rong
在这里，我们报告的Shubnikov-de哈斯振荡高品质的Cd 3As 2纳米线生长的化学气相沉积方法。在朗道扇图中，拓扑狄拉克费米子的主导输运由非平凡的Berry相证明。量子振荡在2 T的小磁场下上升，并保持高达100 K，揭示了相当大的朗道能级隙和2138 cm 2 V−1 s−1的器件迁移率。变角振荡表明体狄拉克输运的各向同性。大的估计平均自由程使Cd 3As 2纳米线的狄拉克半金属一维传输的一个有前途的平台。
Here, we report on the Shubnikov-de Haas oscillation in high-quality Cd3As2 nanowires grown by a chemical vapor deposition approach. The dominant transport of topological Dirac fermions is evident by the nontrivial Berry phase in the Landau Fan diagram. The quantum oscillations rise at a small field of 2 T and preserves up to 100 K, revealing a sizeable Landau level gap and a device mobility of 2138 cm2 V−1 s−1. The angle-variable oscillations indicate the isotropy of the bulk Dirac transport. The large estimated mean free path makes the Cd3As2 nanowire a promising platform for the one-dimensional transport of Dirac semimetals.
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