Spin-dependent recombination at arsenic donors in ion-implanted silicon
Spin-dependent recombination at arsenic donors in ion-implanted silicon
复制标题
离子注入硅中砷供体的自旋相关重组
DOI：
10.1063/1.4896287
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Kohei M. Itoh
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
David P. Franke;Manabu Otsuka;Takashi Matsuoka;Leonid S. Vlasenko;Marina P. Vlasenko;Martin S. Brandt;Kohei M. Itoh
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磷掺杂硅中自由感应衰变和哈恩回波的高分辨率电学检测
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
Jinming Lu;F. Hoehne;A. Stegner;L. Dreher;H. Huebl;M. Stutzmann;M. Brandt
通讯作者：
M. Brandt
DOI：
--
发表时间：
1970
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. L. Brower;J. Borders
通讯作者：
J. Borders
电子顺磁共振与自旋相关复合：辐照硅中结构缺陷的激发三重态。
DOI：
--
发表时间：
1995
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
L. S. Vlasenko;Yu. V. Martynov;T. Gregorkiewicz;C. Ammerlaan
通讯作者：
C. Ammerlaan
辐照硅中性（S=1）一空位氧中心的电子顺磁共振
DOI：
--
发表时间：
1971
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. L. Brower
通讯作者：
K. L. Brower
影响因子：
1.6
作者：
F. Hoehne;L. Dreher;J. Behrends;M. Fehr;H. Huebl;K. Lips;A. Schnegg;M. Suckert;M. Stutzmann;M. Brandt
通讯作者：
M. Brandt