160 MS/s 20 MHz bandwidth third-order noise shaping SAR ADC
160 MS/s 20 MHz bandwidth third-order noise shaping SAR ADC
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160 MS/s 20 MHz 带宽三阶噪声整形 SAR ADC
DOI：
10.1049/el.2017.3969
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发表时间：
2017-12
影响因子：
1.1
通讯作者：
Jianjun Zhou
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hanie Ghaedrahmati;Jianjun Zhou
本文提出了一种无需运算放大器的嵌入式无源增益技术，用于实现过采样、噪声整形逐次逼近寄存器（SAR）ADC。在所提出的方案中，比较器噪声，量化噪声，建立误差和DAC的热噪声得到缓解。采用40 nm CMOS工艺的三阶噪声整形SAR ADC采用了电容和开关等无源元件，非常适合低功耗应用。由于过采样和整形方案，该结构可用于高速和高分辨率操作。
This Letter proposes an operational-amplifier free with an embedded passive gain technique to implement an oversampling, noise shaping successive approximation register (SAR) ADCs. In the proposed scheme, the comparator noise, quantisation noise, settling errors and DAC thermal noise are alleviated. A third-order noise shaping SAR ADC with inserted passive gain design in 40 nm CMOS technology is well suited for low power application because of using passive elements like capacitors and switches. Due to the oversampling and shaping scheme, the structure can be used for high-speed and high-resolution operation.
影响因子：
5.4
作者：
Fredenburg, Jeffrey A.;Flynn, Michael P.
通讯作者：
Flynn, Michael P.
影响因子：
1.1
作者：
Pedram Payandehnia;H. Mirzaie;Hamidreza Maghami;J. Muhlestein;G. Temes
通讯作者：
Pedram Payandehnia;H. Mirzaie;Hamidreza Maghami;J. Muhlestein;G. Temes
影响因子：
5.4
作者：
I. Ahmed;J. Mulder;D. Johns
通讯作者：
I. Ahmed;J. Mulder;D. Johns