Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Local Ge Insertion
Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Local Ge Insertion
复制标题
局部Ge插入对a-Si/SiO_2固相结晶的成核控制
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I.Tsunoda 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他
离子束刺激在 SiO2 上低温固相结晶 a-Si1−xGex
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00770-x
发表时间：
2002
影响因子：
3.6
作者：
I. Tsunoda;T. Nagata;A. Kenjo;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao
掺锗硅薄膜横向固相外延中应力诱导的反常生长
影响因子：
1.5
作者：
J. Oh;D. Kim;Hiroshi Ishiwara Hiroshi Ishiwara
通讯作者：
Hiroshi Ishiwara Hiroshi Ishiwara