Estimation of the Charge Injection Barrier at a Metal/Organic Semiconductor Interface Based on Accumulated Charge Measurement: The Effect of Offset Bias Voltages
Estimation of the Charge Injection Barrier at a Metal/Organic Semiconductor Interface Based on Accumulated Charge Measurement: The Effect of Offset Bias Voltages
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基于累积电荷测量的金属/有机半导体界面处的电荷注入势垒估计：偏移偏置电压的影响
DOI：
10.1021/acs.jpcc.7b04456
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
3.7
通讯作者：
Yamada Jun-ichi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Tajima Hiroyuki;Yoshida Kesuke;Sato Seiichi;Kadoya Tomofumi;Yamada Jun-ichi
在当时类型的 Si/SiO2/OS/Ag（OS = 锌酞菁 [ZnPc] 或无金属酞菁 [H2Pc]）电容器的累积电荷测量（ACM）中详细检查了偏移偏压对空穴注入有机半导体（OS）层的阈值电压的影响。当 OS 层处于空穴耗尽状态时，阈值很大程度上取决于偏移偏置电压。相反，当操作系统层在空穴累积状态下运行时，阈值几乎恒定。 Ag/OS界面的空穴注入势垒是通过积累区域中的阈值获得的。 H2Pc/Ag 和 ZnPc/Ag 界面的所得值分别为 0.41 和 0.05 eV。研究表明，通过检查 ACM 中的偏移电压依赖性，可以准确估计注入势垒。
The effect of the offset bias voltage on the threshold voltage of the hole injection into the organic-semiconductor (OS) layer was examined in detail in the accumulated charge measurement (ACM) for then-type Si/SiO2/OS/Ag (OS = zinc phthalocyanine [ZnPc] or metal-free phthalocyanine [H2Pc]) capacitor. The threshold highly depends on the offset bias voltages, when the OS layer is in the hole-depletion regime. On the contrary, the threshold was nearly constant when the OS layer operated in the hole-accumulation regime. The hole injection barrier of the Ag/OS interface was obtained by the threshold in the accumulation regime. The obtained values were 0.41 and 0.05 eV for H2Pc/Ag and ZnPc/Ag interfaces, respectively. The study revealed that accurate estimation of the injection barrier is possible by examining the offset voltage dependence in the ACM.
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影响因子：
2.3
作者：
Zahn, Dietrich R. T.;Gavrila, Gianina N.;Gorgoi, Mihaela
通讯作者：
Gorgoi, Mihaela
《用位移电流测量法研究有机场效应晶体管的载流子注入特性》
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys. 42
影响因子：
--
作者：
N.Abiko;S.Ogawa;Naofumi Abiko;Satoshi Ogawa;N.Abiko;S.Ogawa;T.Nishikawa;S.Ogawa;Koshi Okamura;石井 久夫;H.Ishii;S.Ogawa;Y.Hosoi;T.Nishikawa;K.Okamura;H.Ishii;H.Ishii;S.Ogawa;S.Ogawa;H.Ishii;石井 久夫;Koshi Okamura;石井 久夫;小川 賢;H.Ishii;K.Sugi;K.Okamura;H.Ishii;S.Ogawa;H.Ishii;K.Sugi;K.Okamura;K.Okamura;K.Sugi;小川 賢;石井久夫;岡村 康史;小川 賢;杉 啓司;H.Ishii;K.Sugi;S.Ogawa;S.Ogawa
通讯作者：
S.Ogawa
影响因子：
1.5
作者：
S. Egusa;A. Miura;Nobuhiro Azuma
通讯作者：
Nobuhiro Azuma
使用位移电流测量技术确定电荷注入势垒
DOI：
10.1016/j.orgel.2016.04.029
发表时间：
2016
期刊：
Org. Electronics
影响因子：
--
作者：
H. Tajima;F. Miyao;M. Mizukoshi;S. Sato
通讯作者：
S. Sato
具有高斯态密度的金属/有机半导体结处的注入势垒
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
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--
作者：
Sungyeop Jung;Chang‐Hyun Kim;Y. Bonnassieux;G. Horowitz
通讯作者：
G. Horowitz