MOCVD growth of (010) β-(AlxGa1−x)2O3 thin films
MOCVD growth of (010) β-(AlxGa1−x)2O3 thin films
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(010) β-(AlxGa1-x)2O3 薄膜的 MOCVD 生长
DOI：
10.1557/s43578-021-00354-8
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发表时间：
2021
影响因子：
2.7
通讯作者：
Zhao, Hongping
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bhuiyan, A F;Feng, Zixuan;Meng, Lingyu;Zhao, Hongping
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影响因子：
2.3
作者：
P. Vogt;Akhil Mauze;Feng Wu;B. Bonef;J. Speck
通讯作者：
P. Vogt;Akhil Mauze;Feng Wu;B. Bonef;J. Speck
回应“关于‘(AlxGa1−x)2O3 薄膜 MOCVD 生长中的相变’的评论”[APL Mater. 8, 089101 (2020)]
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Bhuiyan;Zixuan Feng;Jared M. Johnson;Hsien;Jith Sarker;Menglin Zhu;Md Rezaul Karim;B. Mazumder;Jinwoo Hwang;Hongping Zhao
通讯作者：
Hongping Zhao
使用极端介电常数材料实现超宽带隙半导体晶体管的静电工程
影响因子：
3.1
作者：
N. Kalarickal;Zixuan Feng;A. F. M. Anhar Uddin Bhuiyan;Zhanbo Xia;Wyatt Moore;Joe F. Mcglone;A. Arehart;S. Ringel;Hongping Zhao;S. Rajan
通讯作者：
S. Rajan
影响因子：
1.5
作者：
Oshima, Takayoshi;Okuno, Takeya;Fujita, Shizuo
通讯作者：
Fujita, Shizuo
影响因子：
4
作者：
J. Varley;A. Perron;V. Lordi;D. Wickramaratne;J. L. Lyons
通讯作者：
J. Varley;A. Perron;V. Lordi;D. Wickramaratne;J. L. Lyons