Vacancy effects on the formation of He and Kr cavities in 3C-SiC irradiated and annealed at elevated temperatures
Vacancy effects on the formation of He and Kr cavities in 3C-SiC irradiated and annealed at elevated temperatures
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空位对高温辐照和退火 3C-SiC 中 He 和 Kr 空穴形成的影响
DOI：
10.1016/j.nimb.2016.11.017
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发表时间：
2016-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
王志光
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
臧航;Weilin Jiang;柳文波;A. Devaraj;D.J. Edwards;C.H. Henager;R.J. Kurtz;李涛;贺朝会;恽迪;王志光
在400和750 c下，将多晶3C-SIC分别在400和750 c下分别用120 keV HE2+和4 MeV KR15+。离子至1017和4 1016 CM2。 KR15+离子穿透了He2+ .ion植入的整个深度区域。 He2+，Kr15+和He2++ Kr15+离子植入SIC的三个区域是通过卸载重叠辐射的三个区域。随后将样品在1600 c的真空中退火并进行表征。使用横截面透射电子显微镜和能量分散性X射线光谱。共同植入的SIC。在25 dpa时，在共植入的3C-SIC中存在显着促进。在KR15+离子中形成了较小的空隙，仅在相同剂量下受辐照的SIC。此外，局部kr迁移和空腔捕获的发生，但SIC中的远距离KR扩散却不是1600 C.
Polycrystalline 3C-SiC was sequentially irradiated at 400 and 750 C with 120 keV He2+ and 4 MeV Kr15+.ions to 1017 and 4 1016 cm2, respectively. The Kr15+ ions penetrated the entire depth region of the He2+.ion implantation. Three areas of He2+, Kr15+ and He2+ + Kr15+ ion implanted SiC were created through.masked overlapping irradiation. The sample was subsequently annealed at 1600 C in vacuum and characterized.using cross-sectional transmission electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy..Compared to the He2+ ion only implanted SiC, He cavities show a smaller size and higher.density in the co-implanted SiC. At 25 dpa, presence of He in the co-implanted 3C-SiC significantly promotes.cavity growth; much smaller voids are formed in the Kr15+ ion only irradiated SiC at the same dose..In addition, local Kr migration and trapping at cavities occurs, but long-range Kr diffusion in SiC is not.observed up to 1600 C.
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DOI：
10.1088/1742-6596/371/1/012052
发表时间：
2012-07
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
C. Pawley;M. Beaufort;E. Oliviero;J. Hinks;J. Barbot;S. Donnelly
通讯作者：
C. Pawley;M. Beaufort;E. Oliviero;J. Hinks;J. Barbot;S. Donnelly
DOI：
10.1080/01418618708209804
发表时间：
1987
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
S. Zinkle;W. Wolfer;G. Kulcinski;L. E. Seitzman
通讯作者：
S. Zinkle;W. Wolfer;G. Kulcinski;L. E. Seitzman
DOI：
10.1016/j.nimb.2004.01.134
发表时间：
2004-06
影响因子：
1.3
作者：
Weilin Jiang;W. J. Weber;V. Shutthanandan;L. Li;S. Thevuthasan
通讯作者：
Weilin Jiang;W. J. Weber;V. Shutthanandan;L. Li;S. Thevuthasan
影响因子：
3.2
作者：
Yanwen Zhang;I. Bae;K. Sun;Chongmin Wang;M. Ishimaru;Zihua Zhu;Weilin Jiang;W. J. Weber
通讯作者：
Yanwen Zhang;I. Bae;K. Sun;Chongmin Wang;M. Ishimaru;Zihua Zhu;Weilin Jiang;W. J. Weber
影响因子：
3.1
作者：
T. Sawabe;M. Akiyoshi;K. Ichikawa;Katsumi Yoshida;T. Yano
通讯作者：
T. Sawabe;M. Akiyoshi;K. Ichikawa;Katsumi Yoshida;T. Yano