Growth direction manipulation of few-layer graphene in the vertical plane with parallel arrangement
Growth direction manipulation of few-layer graphene in the vertical plane with parallel arrangement
复制标题
平行排列垂直平面内少层石墨烯的生长方向调控
DOI：
10.1016/j.carbon.2012.12.078
复制
发表时间：
2013-05
期刊：
影响因子：
10.9
通讯作者：
Xu, Ningsheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Yu;Tang, Shuai;Deng, Deliu;Deng, Shaozhi;Chen, Jun;Xu, Ningsheng
垂直少层石墨烯（FLG）片在场发射体和超级电容器方面具有潜在的应用前景。然而，如何控制垂直和平行方向的FLG生长仍然是一个挑战。我们有意设计衬底表面结构来操纵等离子体鞘层的分布，诱导内置电场的方向，在二维空间上引导FLG的生长方向。讨论了等离子体鞘层和内置场对FLG生长的影响。对平行型和随机型单片FLG的电场发射特性进行了测试，结果表明它们具有相似的良好特性。该方法提供了一种可控制地生长平行和垂直FLG阵列的方法。
Vertical few-layer graphene (FLG) sheets have potential applications as field emitters and super capacitors. However, it remains a challenge to controllably grow FLG with vertical and parallel orientations. We intentionally designed the substrate surface structure to manipulate the distribution of the plasma sheath and induce the direction of the built-in electric field to guide the growth direction of the FLG in two dimensions. The effects of the plasma sheath and the built-in field on the FLG growth are discussed. The electrical and field emission characteristics of single sheet FLG with parallel and random types were measured, and they demonstrate similar and good characteristics. This method provides a way to controllably grow parallel and vertical FLG arrays.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.5
作者：
Malesevic, Alexander;Vitchev, Roumen;Van Haesendonck, Chris
通讯作者：
Van Haesendonck, Chris
DOI：
10.1016/j.carbon.2009.07.026
发表时间：
2009-09
期刊：
arXiv: Mesoscale and Nanoscale Physics
影响因子：
--
作者：
Zhao Wang
通讯作者：
Zhao Wang
影响因子：
64.8
作者：
Kim, Keun Soo;Zhao, Yue;Hong, Byung Hee
通讯作者：
Hong, Byung Hee
影响因子：
1.4
作者：
R. Smith;J. D. Carey;R. D. Forrest;S. Silva
通讯作者：
R. Smith;J. D. Carey;R. D. Forrest;S. Silva
通过控制形貌优化垂直几层石墨烯片的场致发射特性
影响因子：
3.5
作者：
Zhang Yu;Du Jiale;Tang Shuai;Liu Pei;Deng Shaozhi;Chen Jun;Xu Ningsheng
通讯作者：
Xu Ningsheng