The reduction of threading dislocations in GaN using a GaN nanocolumn interlayer
The reduction of threading dislocations in GaN using a GaN nanocolumn interlayer
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使用 GaN 纳米柱中间层减少 GaN 中的穿透位错
DOI：
10.1002/pssc.200778562
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Meshi L
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Meshi L
外延横向过度生长（ELO）已被用于降低氮化镓中的螺纹位错（TD）密度。本文报道了在MBE（方法1）或MOCVD（方法2）生长的均匀层上自组织图像化的GaN纳米柱上由ELO生长的GaN薄膜中的td的透射电镜和扫描电镜研究。在方法1中，分离的纳米柱生长时没有TDs，但在纳米柱合并时形成了一些TDs。尽管这些TD中的一些延伸穿过了上层，但根据位错类型的不同，其他TD的广泛横向迁移导致位错湮灭，降低了总体TD密度。在方法2中，在ELO期间观察到类似的TD横向迁移过程，导致TD密度小于108cm-2的连续GaN覆盖层。（©2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim）
Epitaxial lateral overgrowth (ELO) has been used to reduce threading dislocation (TD) densities in GaN. This paper reports transmission and scanning electron microscopy studies of TDs in GaN films grown by ELO on GaN nanocolumns produced either during growth by MBE (method 1), or by self‐organised patterning on a uniform layer grown by MOCVD (method 2). In method 1, isolated nanocolumns grew without TDs, but some TDs formed when nanocolumns coalesced. Although some of these TDs extended through the overlayer, extensive lateral migration of others, depending on the dislocation type, led to dislocation annihilation, lowering the overall TD density. In method 2, a similar process of lateral migration of TDs was observed during ELO, resulting in a continuous GaN overlayer with TD densities less than 108cm–2. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
金刚石、碳化硅和氮化镓薄膜的沉积和表征
DOI：
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发表时间：
1994
期刊：
影响因子：
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作者：
R. Davis
通讯作者：
R. Davis
III族氮化物MBE生长的极性控制及其装置应用
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
H. Okumura;M. Shimizu;X. Shen;T. Ide
通讯作者：
T. Ide
影响因子：
4
作者：
LIN, ME;SVERDLOV, B;MORKOC, H
通讯作者：
MORKOC, H