Characterization results of a HVCMOS sensor for ATLAS
Characterization results of a HVCMOS sensor for ATLAS
复制标题
ATLAS HVCMOS 传感器的表征结果
DOI：
10.1016/j.nima.2018.08.069
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
F. Ehrler
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Ehrler
高压 CMOS (HVCMOS) 像素传感器是采用标准商用 CMOS 工艺实现的耗尽型单片有源 n-in-p 二极管像素传感器。读出电子器件的很大一部分放置在每个像素内部。由于高辐射耐受性和快速信号生成（Perić，2017）[1]，HVCMOS 传感器将在高能物理实验中使用（Mu3e、PSI）或建议使用（ATLAS 和 CLIC、CERN）。本文介绍了 ATLASpix_Simple 传感器的表征结果。特别关注具有自适应采样率的新型阈值时间 (ToT) 测量。
High-voltage CMOS (HVCMOS) pixel sensors are depleted monolithic active n-in-p diode pixel sensors implemented in standard commercial CMOS processes. A substantial part of the readout electronics is placed inside each pixel. Due to high radiation tolerance and fast signal generation (Perić, 2017) [1], HVCMOS sensors are going to be used (Mu3e, PSI) or are suggested for usage (ATLAS and CLIC, CERN) in High Energy Physics experiments. In this article characterization results of the ATLASpix_Simple sensor are presented. Special attention was paid to the novel time-over-threshold (ToT) measurement with adaptive sampling rate.
登录
查看更多内容
用于 CLIC 顶点检测器的电容耦合 HV/HR-CMOS 传感器芯片的表征
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Kremastiotis;I. Perić;S. Kulis;R. Sune;D. Dannheim;A. Fiergolski;D. Hynds;M. Campbell
通讯作者：
M. Campbell
用于 CLIC 顶点检测器的电容耦合 HV-CMOS 传感器芯片的设计和独立表征
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Kremastiotis;I. Kremastiotis;I. Perić;S. Kulis;R. Sune;D. Dannheim;A. Fiergolski;D. Hynds;M. Campbell
通讯作者：
M. Campbell
ATLAS 采用高压 CMOS 技术的有源像素传感器
影响因子：
1.3
作者：
I. Perić
通讯作者：
I. Perić
ATLAS HVCMOS 开发现状
影响因子：
1.3
作者：
I. Perić
通讯作者：
I. Perić