Mid-infrared photoluminescence of InAsN dilute nitride alloys grown by LPE and MBE
Mid-infrared photoluminescence of InAsN dilute nitride alloys grown by LPE and MBE
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LPE 和 MBE 生长的 InAsN 稀氮化物合金的中红外光致发光
DOI：
10.1016/j.infrared.2012.06.002
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发表时间：
2012
影响因子：
3.3
通讯作者：
De La Mare M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
De La Mare M
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影响因子：
4
作者：
S. Dhar;T. D. Das;M. Mare;A. Krier
通讯作者：
S. Dhar;T. D. Das;M. Mare;A. Krier
GaAs 上生长的 GaAsN 合金薄膜的 MBE 生长和光反射研究 [001]
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
International Conference on Molecular Bean Epitaxy
影响因子：
--
作者：
A. Nishikawa;R. Katayama;K. Onabe;Y. Shiraki
通讯作者：
Y. Shiraki
MBE 生长在 GaAs 上的硅掺杂 InSb 两性行为的观察和控制
DOI：
--
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Parker;R. Williams;R. Droopad;R. Stradling;K. Barnham;S. Holmes;J. Laverty;C. Phillips;E. Skuras;R. H. Thomas;X. Zhang;A. Staton;D. W. Pashley
通讯作者：
D. W. Pashley
化学束外延中 GaN 和 GaInNA 的光学质量及其对 RF 单元条件的依赖性
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Kageyama;T. Miyamoto;S. Makino;F. Koyama;K. Iga
通讯作者：
K. Iga
用于中红外应用的稀氮化物InNAs/InGaAs/InP多量子阱的光致发光特性
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
影响因子：
--
作者：
H.D. Sun;A. Clark;S. Calvez;M. Dawson;D. Shih;H. Lin
通讯作者：
H. Lin