Ge Photodetectors in Silicon Photonics
Ge Photodetectors in Silicon Photonics
复制标题
硅光子学中的 Ge 光电探测器
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kazumi Wade
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yasuhiko Ishikawa;Jiro Osaka;Kazumi Wade
登录
查看更多内容
影响因子：
1.6
作者：
Ching-Yu Hsu;Z. Pei;Jia-Ming Liu
通讯作者：
Ching-Yu Hsu;Z. Pei;Jia-Ming Liu
接近 1.6 μm 的 Ge/Si 量子点超晶格的室温电致发光
DOI：
10.1002/pssa.200309006
发表时间：
2003
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
V. Talalaev;G. E. Cirlin;A. Tonkikh;N. Zakharov;P. Werner
通讯作者：
P. Werner
影响因子：
35.6
作者：
C. Thraskias;E. N. Lallas;N. Neumann;L. Schares;B. Offrein;R. Henker;D. Plettemeier;F. Ellinger;J. Leuthold;Ioannis Tomkos
通讯作者：
C. Thraskias;E. N. Lallas;N. Neumann;L. Schares;B. Offrein;R. Henker;D. Plettemeier;F. Ellinger;J. Leuthold;Ioannis Tomkos
DOI：
10.1109/jstqe.2021.3092963
发表时间：
2022-03-01
影响因子：
4.9
作者：
Campbell, Joe C.
通讯作者：
Campbell, Joe C.
Ge-on-Si 光电二极管中暗电流的表征
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
N. DiLello;D. Johnstone;J. Hoyt
通讯作者：
J. Hoyt