Tunable spectral response by hydrogen irradiation of Ga(AsN) superlattice diodes
Tunable spectral response by hydrogen irradiation of Ga(AsN) superlattice diodes
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Ga(AsN)超晶格二极管的氢辐照可调谐光谱响应
DOI：
10.1063/1.4884425
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发表时间：
2014
影响因子：
4
通讯作者：
Balakrishnan N
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Balakrishnan N
报道了用后生长氢化方法对稀氮化镓(ASN)合金基超晶格(SL)二极管的光谱响应进行调谐。氢被结合到超晶格中，在那里它通过形成N-H络合物中和氮的电子活性。我们利用络合物的受控热解离来调节SL的光电流吸收和电致发光的能量；此外，通过用聚焦的激光束对亚微米光斑进行热处理，我们为载流子的注入创造了一条优先路径，从而激活了纳米级的发光区。这种方法可以用来制作具有不同光学有源区的平面二极管阵列，所有这些都集成在单个衬底上。
We report on the tuning of the spectral response of superlattice (SL) diodes based on dilute nitride Ga(AsN) alloys by post-growth hydrogenation. Hydrogen is incorporated into the superlattice where it neutralizes the electronic activity of nitrogen by forming N-H complexes. We exploit the controlled thermal dissociation of the complexes to tune the energy of the SL photocurrent absorption and electroluminescence emission; also, by annealing a submicron spot with a focused laser beam we create a preferential path for the injection of carriers, thus activating a nanoscale light emitting region. This method can be used for fabricating planar diode arrays with distinct optical active regions, all integrated onto a single substrate.
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