Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_1-yC_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy

Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si_1-yC_y Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy
复制标题

气源分子束外延生长拉伸应变Si_1-yC_y层的表征及器件应用

DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys 43,7A
影响因子：
--
通讯作者：
Makoto KONAGAI
Makoto KONAGAI
中科院分区：
--
文献类型：
--
作者：
Katsuya ABE;Chiaki YABE;Tatsuro WATAHIKI;Akira YAMADAl;Makoto KONAGAI

文献摘要

参考文献

被引文献

相似文献

Characterization of Tensile Strained Si1-yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature
极低温下光和等离子体化学气相沉积生长的拉伸应变 Si1-yCy 合金的表征
DOI： 10.1143/jjap.40.4440
发表时间： 2001
期刊： Japanese Journal of Applied Physics
影响因子： 1.5
作者：
K. Abe;S. Yagi;T. Okabayashi;A. Yamada;M. Konagai
通讯作者： M. Konagai
Thermal dry oxidation of Si 1-x-y Ge x C y strained layers grown on silicon
硅上生长的 Si 1-x-y Ge x C y 应变层的热干氧化
DOI： 10.1016/s0167-9317(99)00371-8
发表时间： 1999
期刊： Microelectronic Engineering
影响因子： 2.3
作者：
B. Garrido;A. Cuadras;C. Bonafos;J. Morante;L. Fonseca;M. Franz;K. Pressel
通讯作者： K. Pressel