High conductivity in Ge-doped AlN achieved by a non-equilibrium process
High conductivity in Ge-doped AlN achieved by a non-equilibrium process
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通过非平衡工艺实现 Ge 掺杂 AlN 的高电导率
DOI：
10.1063/5.0146439
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发表时间：
2023
影响因子：
4
通讯作者：
Tweedie, James
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bagheri, Pegah;Quiñones-Garcia, Cristyan;Khachariya, Dolar;Loveless, James;Guan, Yan;Rathkanthiwar, Shashwat;Reddy, Pramod;Kirste, Ronny;Mita, Seiji;Tweedie, James
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DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
U. Dadwal;R. Scholz;Pratik Kumar;D. Kanjilal;Silke Christiansen;U. Gösele;R. Singh
通讯作者：
R. Singh
影响因子：
3.2
作者：
S. Washiyama;P. Reddy;B. Sarkar;M. H. Breckenridge;Q. Guo;P. Bagheri;A. Klump;R. Kirste;J. Tweedie;S. Mita;Z. Sitar;R. Collazo
通讯作者：
S. Washiyama;P. Reddy;B. Sarkar;M. H. Breckenridge;Q. Guo;P. Bagheri;A. Klump;R. Kirste;J. Tweedie;S. Mita;Z. Sitar;R. Collazo
重度 Ge 掺杂 AlGaN 的自补偿：与 Si 掺杂的比较
影响因子：
4
作者：
Washiyama, Shun;Mirrielees, Kelsey J.;Bagheri, Pegah;Baker, Jonathon N.;Kim, Ji-Hyun;Guo, Qiang;Kirste, Ronny;Guan, Yan;Breckenridge, M. Hayden;Klump, Andrew J.
通讯作者：
Klump, Andrew J.
影响因子：
3.2
作者：
Kaess, Felix;Mita, Seiji;Sitar, Zlatko
通讯作者：
Sitar, Zlatko
影响因子：
4
作者：
J. S. Harris;J. Baker;Benjamin E. Gaddy;I. Bryan;Z. Bryan;Kelsey J. Mirrielees;P. Reddy;R. Collazo;Z. Sitar;D. Irving
通讯作者：
J. S. Harris;J. Baker;Benjamin E. Gaddy;I. Bryan;Z. Bryan;Kelsey J. Mirrielees;P. Reddy;R. Collazo;Z. Sitar;D. Irving