Enhanced planar hall sensitivity with better thermal stability by introducing interfacial modification of Au spacer
Enhanced planar hall sensitivity with better thermal stability by introducing interfacial modification of Au spacer
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通过引入 Au 间隔物的界面改性，增强平面霍尔灵敏度并具有更好的热稳定性
DOI：
10.1016/j.jmmm.2015.01.022
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发表时间：
2015-05
影响因子：
2.7
通讯作者：
Yu, Guang-Hua
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jiang, Shao-Long;Liu, Yang;Li, Ming-Hua;Yu, Guang-Hua
本文报道了在NiFe/Au/IrMn多层膜中引入界面改性以提高平面霍尔灵敏度。灵敏度的提高主要是由于Au层的强自旋轨道散射导致NiFe层中极化电子的自旋非对称性增强，从而使电阻率变化（Δρ）增大。此外，基于NiFe/Au/IrMn结构的传感器具有良好的热稳定性。高灵敏度和良好的热稳定性使得NiFe/Au/IrMn结构的传感器在生物检测方面非常有前景。
This paper reports an enhancement of planar Hall sensitivity in NiFe/Au/IrMn multilayers by introducing interfacial modification. The improvement of the sensitivity derives from the increase of resistivity change (Δρ), which is attributed to strengthened spin-asymmetry of polarized electrons in NiFe layer induced by strong spin–orbit scattering of Au layer. Furthermore, the NiFe/Au/IrMn structure based sensor exhibits good thermal stability. The high sensitivity together with good thermal stability makes the NiFe/Au/IrMn structure based sensor very promising for bio-detections.
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