Effect of Zn interstitials on the magnetic and transport properties of bulk Co-doped ZnO
Effect of Zn interstitials on the magnetic and transport properties of bulk Co-doped ZnO
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Zn填隙对块体Co掺杂ZnO磁性和输运性能的影响
DOI：
10.1088/0022-3727/43/3/035002
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发表时间：
2010-01
影响因子：
3.4
通讯作者：
Zhu, Tao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shah, Lubna R.;Wang, W. G.;Xiao, John Q.;Zhu, Hao;Wen, Q. Y.;Zhang, H. W.;Song, Y. Q.;Ali, Bakhtyar;Shah, S. Ismat;Fan, Xin;Zhu, Tao
我们证明了束缚磁极化子模型对Co-ZnO半导体的铁磁性负责，其中载流子是由间隙锌(ZNI)提供的。我们的实验是独一无二的，因为通过改变温度，我们能够越过载流子浓度阈值，超过这个阈值，就可以建立长范围的铁磁有序。为了支持我们的结论，我们对结构、磁性和输运性质进行了系统的研究，在我们提出的两区模型的背景下，这些结果都给出了一致的结果，即(A)ZNi层，其中载流子足以以铁磁方式耦合Co离子和(B)有少量载流子保持在顺磁状态的区域。
We have demonstrated that the bound magnetic polaron model is responsible for ferromagnetism in Co–ZnO semiconductors, where the carriers are provided by the interstitial zinc (Zni). Our experiment is unique since by changing the temperature, we are able to cross the carrier concentration threshold above which a long-range ferromagnetic order is established. Consequently, the ferromagnetic order is observed at room temperature but is weakened at temperatures below 100 K. To support our conclusion we have performed a systematic investigation on the structural, magnetic and transport properties which all give consistent results in the context of our proposed two-region model, i.e. (a) a Zni layer where carriers are sufficient to couple Co ions ferromagnetically and (b) a region with little carriers that remain in a paramagnetic state.
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影响因子：
3.7
作者：
T. Dietl;T. Andrearczyk;A. Lipi'nska;M. Kiecana;M. Tay;M. Tay;Yihong Wu
通讯作者：
T. Dietl;T. Andrearczyk;A. Lipi'nska;M. Kiecana;M. Tay;M. Tay;Yihong Wu
影响因子：
3.2
作者：
Weigang Wanga;Tao Zhu
通讯作者：
Weigang Wanga;Tao Zhu
影响因子：
3.2
作者：
L. Shah;Weigang Wang;Haojun Zhu;B. Ali;Yuanqiang Song;Huaiwu Zhang;S. Shah;J. Xiao
通讯作者：
L. Shah;Weigang Wang;Haojun Zhu;B. Ali;Yuanqiang Song;Huaiwu Zhang;S. Shah;J. Xiao
影响因子：
3.2
作者：
K. Rode;A. Anane;R. Mattana;J. Contour;O. Durand;R. Lebourgeois
通讯作者：
K. Rode;A. Anane;R. Mattana;J. Contour;O. Durand;R. Lebourgeois
影响因子：
4
作者：
T. Shi;San-yuan Zhu;Zhihu Sun;Shiqiang Wei;Wenhan Liu
通讯作者：
T. Shi;San-yuan Zhu;Zhihu Sun;Shiqiang Wei;Wenhan Liu