Structural, mechanical and electronic properties of in-plane 1T/2H phase interface of MoS2 heterostructures
Structural, mechanical and electronic properties of in-plane 1T/2H phase interface of MoS2 heterostructures
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MoS2异质结构面内1T/2H相界面的结构、机械和电子性能
DOI：
10.1063/1.4932040
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发表时间：
2015-09
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Xiaohong Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiaoyan Guo;Guohui Yang;Jun Feng Zhang;Xiaohong Xu
由2H相和1T相组成的二维（2D）二硫化钼（MoS2）相杂化体系是一种天然的金属/半导体异质结构，具有广泛的应用前景。本文报道了具有扶手椅（AC）和之字形（ZZ）界面的混合系统的结构、力学和电子性能的第一性原理研究。ZZ型1T/2H界面的能量优势优于AC型界面，能量优势为3.39 eV/nm。异质结构的本征强度与块体1T MoS2相似，低于块体2H，特别是具有ZZ界面的异质结构。态密度分析表明，结构突变界面的电子性质从金属1T相逐渐过渡到半导体2H相。本文的理论结果为目前使用mos21t /2H异质结构的二维电子器件提供了一幅有用的图景，并为其他二维杂化材料提供了重要的见解。
Two-dimensional (2D) molybdenum disulfide (MoS2) phase hybrid system composed by 2H and 1T phase is a natural metal/semiconductor heterostructures and promised a wide range of potential applications. Here, we report the first principle investigations on the structural, mechanical and electronic properties of hybrid system with armchair (AC) and zigzag (ZZ) interfaces. The ZZ type 1T/2H interface are more energy favorable than AC type interface with 3.39 eV/nm. Similar with that of bulked 1T MoS2, the intrinsic strengths of the heterostructures are lower than that of the bulk 2H, especially for that with ZZ interface. Analysis of density of states shows that the electronic properties gradually transmitted from the metallic 1T phase to the semiconducting 2H phase for the structural abrupt interface. The present theoretical results constitute a useful picture for the 2D electronic devices using current MoS2 1T/2H heterostructures and provide vital insights into the other 2D hybrid materials.
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