Controlling of Polarity on the Surface Passivation Mechanism of Al2O3 for Black Silicon by CLD
Controlling of Polarity on the Surface Passivation Mechanism of Al2O3 for Black Silicon by CLD
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CLD控制黑硅Al2O3表面钝化机理的极性
DOI：
10.4028/www.scientific.net/jnanor.49.18
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发表时间：
2017-09
影响因子：
1.7
通讯作者：
Liu Aimin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang Bingye;Wang Yujun;Han Lu;Li Yongxiang;Liu Aimin
采用化学液相沉积（CLD）技术在p型黑硅（b-Si）衬底上沉积了Al 2 O3薄膜。研究了退火温度对Al 2 O3薄膜结构和光学性能的影响。具有80 nm Al 2 O3膜的b-Si具有5%的低全反射率。经300 °C退火处理的样品具有负固定电荷，密度为1.5×1012 cm-2。随着退火温度的升高，C-V曲线负移，固定电荷极性正移，最大密度为8.7×1011 cm-2。固定电荷极性的演变归因于Al_2O_3晶型转变引起的O：Al比的降低。Al 2 O3中固定电荷极性的改变为通过调整热后处理工艺实现Si太阳电池中p型和n型Si钝化提供了一条可行的途径。
Thin Al2O3 films were deposited on p-type black silicon (b-Si) by using chemical liquid phase deposition (CLD) technique. The influence of annealing temperatures on the structural and optical properties of Al2O3 films was investigated. The b-Si with 80-nm Al2O3 films exhibits a low total reflectance of 5%. The sample annealed 300 °C exhibits negative fixed charge with the density of 1.5×1012 cm-2. With the increasing of annealing temperature, negative shift of C-V curve was observed, indicating the polarity of fixed charge changes to positive, with maximal the density of 8.7×1011 cm-2. The evolution of the polarity of fixed charge is assigned to the decreasing of O: Al ratio caused by the transition of the crystalline type of Al2O3. The change of fixed charge polarity in Al2O3 provides a feasible route for both p- and n-type Si passivation in Si solar cells by adjusting the thermal post-treatment.
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影响因子：
6.9
作者：
Moreno, M.;Daineka, D.;Roca i Cabarrocas, P.
通讯作者：
Roca i Cabarrocas, P.
DOI：
10.1016/j.egypro.2012.02.004
发表时间：
2012
期刊：
Energy Procedia
影响因子：
--
作者：
Jan Schmidt;F. Werner;Boris Veith;D. Zielke;S. Steingrube;P. Altermatt;S. Gatz;T. Dullweber
通讯作者：
Jan Schmidt;F. Werner;Boris Veith;D. Zielke;S. Steingrube;P. Altermatt;S. Gatz;T. Dullweber
一种生产太阳能电池用黑硅的新方法
影响因子：
6.7
作者：
Xia, Yang;Liu, Bangwu;Li, Chaobo
通讯作者：
Li, Chaobo
影响因子：
3.2
作者：
Glunz, SW;Biro, D;Warta, W
通讯作者：
Warta, W
影响因子：
0.7
作者：
Y. Aoki;Kazuhiko Kasano
通讯作者：
Y. Aoki;Kazuhiko Kasano