Fabrication of vertical organic field effect transistor at the edge of patterned photoresist
Fabrication of vertical organic field effect transistor at the edge of patterned photoresist
复制标题
图案化光刻胶边缘垂直有机场效应晶体管的制作
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Yutani;K.Nakayama;M.Yokoyama
影响因子：
4
作者：
Parashkov, R;Becker, E;Kowalsky, W
通讯作者：
Kowalsky, W
具有新型上下接触 (TBC) 结构的高性能有机场效应晶体管
DOI：
10.1557/proc-736-d7.7
发表时间：
2002
期刊：
MRS Proceedings
影响因子：
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作者：
M. Yoshida;S. Uemura;S. Hoshino;T. Kodzasa;S. Haraichi;T. Kamata
通讯作者：
T. Kamata