Doping and hydrogen passivation of B in silicon nanowires synthesized by laser ablation
Doping and hydrogen passivation of B in silicon nanowires synthesized by laser ablation
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激光烧蚀合成硅纳米线中 B 的掺杂和氢钝化
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Ito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Fukata;J.Chen;T.Sekiguchi;N.Okada;K.Murakami;T.Tsurui;S.Ito
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激光烧蚀法合成的硅纳米线中的声子限制
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
Physica B 376-377
影响因子：
--
作者：
N.Fukata;T.Oshima;N.Okada;T.Kizuka;T.Tsurui;S.Ito;K.Murakami
通讯作者：
K.Murakami
通过气-液-固技术生长的硅纳米线的尺寸和位置的控制
影响因子：
1.5
作者：
J. Westwater;Dharam Pal Gosain Dharam Pal Gosain;Setsuo Usui Setsuo Usui
通讯作者：
Setsuo Usui Setsuo Usui
DOI：
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发表时间：
1989
期刊：
Physical Review B (Condensed Matter)
影响因子：
--
作者：
P. Denteneer;C. G. V. D. Walle;S. Pantelides
通讯作者：
S. Pantelides
与 Si 中第 III 族受体结合的氢的红外光谱：均匀线展宽和边带
影响因子：
3.7
作者：
M. Suezawa;N. Fukata;M. Saito;H. Yamada‐Kaneta
通讯作者：
H. Yamada‐Kaneta
缺陷复合物中的氢运动：硅中 B-H 复合物的重新取向动力学。
影响因子：
8.6
作者：
Stavola;Bergman;Pearton;Lopata
通讯作者：
Lopata