Bandgap narrowing and conductivity evolution of atomic-layer-deposited ZnO:Cu thin films under rapid thermal annealing
Bandgap narrowing and conductivity evolution of atomic-layer-deposited ZnO:Cu thin films under rapid thermal annealing
复制标题
快速热退火下原子层沉积 ZnO:Cu 薄膜的带隙变窄和电导率演化
DOI：
10.1016/j.jallcom.2015.03.083
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发表时间：
2015-07
影响因子：
6.2
通讯作者：
Zhang David Wei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu Sai-Sheng;Lu Hong-Liang;Zhang Yuan;Wang Tao;Geng Yang;Huang Wen;Ding Shi-Jin;Zhang David Wei
采用原子层沉积法生长了p型Cu掺杂ZnO（ZnO：Cu）薄膜，并在N2气氛中进行了快速热退火（RTA）。X射线衍射结果表明，（0 0 2）峰的位置随着RTA温度的升高而向稍大的角度移动。光学带隙从3.36 eV下降到3.27 eV的600 ° C退火的ZnO：Cu薄膜。此外，所观察到的ZnO：Cu薄膜的带隙变窄的电导率的下降与RTA处理下的空穴杀手缺陷，包括氧空位（VO）和锌间隙（Zni）的变化相关。
The p-type Cu-doped ZnO (ZnO:Cu) films were grown by atomic layer deposition and subsequently rapid thermal annealed (RTA) in N2. X-ray diffraction patterns demonstrated that the position of (0 0 2) peaks shift to a slightly higher angle with increasing RTA temperature. The optical bandgap was detected to decrease from 3.36 eV for as-grown sample to 3.27 eV for 600 °C-annealed ZnO:Cu film. Moreover, the observed degradation of conductivity with the narrowing of the bandgap for the ZnO:Cu films was correlated to the change of hole-killer defects including oxygen vacancy (VO) and zinc interstitial (Zni) under RTA treatment.
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