Optical and structural properties of InGaSb/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
Optical and structural properties of InGaSb/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
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分子束外延生长的InGaSb/GaAs量子点的光学和结构特性
DOI：
10.1088/1361-6641/aae627
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发表时间：
2018
影响因子：
1.9
通讯作者：
Hodgson P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hodgson P
我们展示了使用迁移增强外延通过分子束外延生长 InGaSb/GaAs 量子点 (QD) 的研究结果。表面原子力显微镜和横截面透射电子显微镜表明，量子点在用 GaAs 覆盖后形态发生了显着变化。 GaAs“冷盖”技术在此过程中部分成功地保留了 QD 形态，但仍然观察到强烈的 V 族混合。能量色散 X 射线光谱表明，所得纳米结构是被高度混合的圆盘包围的小“核心”量子点。随温度变化的光致发光 (PL) 测量表明 QD 发出强光，室温下发射波长为 1230 nm。 Nextnano 8× 8 kp 计算显示与 PL 结果非常一致，并表明核心 QD 中 V 族混合水平较低。
We present the results of an investigation into the growth of InGaSb/GaAs quantum dots (QDs) by molecular beam epitaxy using migration-enhanced epitaxy. Surface atomic force microscopy and cross-sectional transmission electron microscopy show that the QDs undergo a significant change in morphology upon capping with GaAs. A GaAs' cold capping'technique was partly successful in preserving QD morphology during this process, but strong group-V intermixing was still observed. Energy-dispersive x-ray spectroscopy reveals that the resulting nanostructures are small'core'QDs surrounded by a highly intermixed disc. Temperature varying photoluminescence (PL) measurements indicate strong light emission from the QDs, with an emission wavelength of 1230 nm at room temperature. Nextnano 8× 8 kp calculations show good agreement with the PL results and indicate a low level of group-V intermixing in the core QD.
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Q. Zhuang;P. Carrington;A. Krier