Layout-dependent vertical and in-plane leakage current reduction of organic thin-film transistors by layer contact restriction
Layout-dependent vertical and in-plane leakage current reduction of organic thin-film transistors by layer contact restriction
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通过层接触限制减少有机薄膜晶体管的布局相关垂直和面内漏电流
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takashi Sato
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kunihiro Oshima;Kazunori Kuribara;and Takashi Sato
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发表时间：
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and Takashi Sato
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