New era of silicon technologies due to radical reation based semiconductor manufacturing
New era of silicon technologies due to radical reation based semiconductor manufacturing
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基于自由基反应的半导体制造带来硅技术的新时代
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Tadahiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Watanabe;K.;Toba;G.;Koganezawa;M.;Yamamoto;D.;Ken Sakai;Tadahiro Ohmi
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使用双喷头微波激发高密度等离子体设备进行高速无损伤接触孔蚀刻
影响因子：
1.5
作者：
T. Goto;H. Yamauchi;Takeyoshi Kato;Masato Terasaki;A. Teramoto;M. Hirayama;S. Sugawa;T. Ohmi
通讯作者：
T. Ohmi
用于模拟/数字混合信号电路的 Si(100) 表面低噪声平衡 CMOS
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
2003 IEEE International ELECTRON DEVICES MEETING
影响因子：
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作者：
A.Teramoto;T.Hamada;H.Akahori;K.Nii;T.Suwa;K.Kotani;M.Hirayama;S.Sugawa;T.Ohmi
通讯作者：
T.Ohmi
双气体喷头微波激发等离子体增强化学气相沉积形成高质量氮化硅薄膜
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
2003 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
影响因子：
--
作者：
H.Tanaka;Z.Chuanjie;Y.Hayakawa;M.Hirayama;A.Teramoto;S.Sugawa;T.Ohmi
通讯作者：
T.Ohmi
晶体取向对氧化硅表面 p 型反型层迁移率、表面态密度和噪声的影响
影响因子：
1.5
作者：
Tai Sato;Y. Takeishi;H. Hara
通讯作者：
H. Hara
通过在 SI 中离子注入 GE、C 和 B 合成的浅 P 型 SIGEC 层
影响因子：
4
作者：
H. Kurata;Kunihiro Suzuki;T. Futatsugi;N. Yokoyama
通讯作者：
N. Yokoyama