Dielectric and ferroelectric properties of A-site non-stoichiometric Na0.5Bi0.5TiO3-based thin films
Dielectric and ferroelectric properties of A-site non-stoichiometric Na0.5Bi0.5TiO3-based thin films
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A位非化学计量Na0.5Bi0.5TiO3基薄膜的介电和铁电性能
DOI：
10.1016/j.matlet.2011.08.067
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发表时间：
2012
影响因子：
3
通讯作者：
X. Y. Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. H. Yang;W. B. Wu;F. Yang;H. T. Wu;X. Y. Zhang
采用金属有机物分解法在LaNiO 3（100）/Si衬底上外延生长了A位非化学计量比的[（Na0.7K0.2Li0.1）0.45Bi0.55] TiO 3 +x（NKLBT）薄膜。研究了NKLBT薄膜在不同温度下退火后的结构演变，发现在600°C的低温下，薄膜中出现了单一的钙钛矿相。在450 kV/cm时，由于施主掺杂效应降低了氧空位浓度，铁电磁滞回线显示出较高的回复极化值（15.6μC/cm 2）和较低的矫顽场（89 kV/cm）。分析了电容-电压特性的频率依赖性以及电容-电压与极化电场的相关性。在1 MHz的频率下，测得的介电常数和损耗因子分别为690和0.04。
The A-site non-stoichiometry of [(Na0.7K0.2Li0.1)0.45Bi0.55]TiO3+x(NKLBT) films were epitaxially deposited on LaNiO3(100)/Si substrates using metal organic decomposition. The structural evolution of NKLBT films annealed at different temperatures is studied and a single perovskite phase can be found at the low temperature of 600°C. Ferroelectric hysteresis measurement shows a higher remanent polarization value of 15.6μC/cm2with a lower coercive field of 89kV/cm at 450kV/cm due to the lower concentration of oxygen vacancies by the donor doping effect. The frequency dependence of the capacitance–voltage behavior and the correlation between the capacitance–voltage and polarization–electric field are analyzed. The dielectric constant and dissipation factor are measured to be 690 and 0.04, respectively, at a frequency of 1MHz.
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